El precio de los SSD sigue disparándose, convirtiéndose en el producto con mayor incremento después del módulo RAM de relé MEMOpocalypse. Si lo que vemos en el campo de la memoria es el regreso de DDR4 y DDR3 (incluso DDR2 también se mueve), entonces las propuestas en el campo del almacenamiento (a excepción de la recuperación de discos duros) parecen haber vuelto al pasado.

Si bien la inteligencia artificial promete ser la mayoría de la mayoría y la revolución de las revoluciones, Otras partes del mercado general de la electrónica están experimentando caídas preocupantes. La respuesta de la industria no es aumentar la producción de memoria, apostar por el desarrollo sostenible de la IA y discrepar en los precios para aumentar las ganancias, sino volver a los estándares anteriores deteriorando el rendimiento, la capacidad y la experiencia del usuario. Pero la situación es tan terrible…

Precios más bajos de SSD con peores productos

Samsung parece estar preparando un nuevo SSD NVMe PCIe 4.0 de nivel básico destinado a reducir los costes de fabricación eliminando la caché DRAM integrada. En cambio, la unidad utiliza tecnología. buffer de memoria del host (HMB), que utiliza una pequeña porción de la RAM del sistema host para almacenar tablas de mapeo y metadatos que normalmente administra la DRAM dedicada del SSD.

El producto aún por anunciar surgió después de que Samsung publicara brevemente una página del producto en su sitio web. Según las especificaciones enumeradas, el SSD M.2 NVMe tiene una capacidad de 1 TB, velocidades de lectura secuencial de hasta 7150 MB/s y velocidades de escritura secuencial de hasta 6450 MB/s. A pesar de su presupuesto de diseño limitado, estas cifras de rendimiento lo acercan a muchos SSD PCIe 4.0 tradicionales.

Samsung no ha revelado qué tecnología flash NAND utiliza, pero una de sus características nos da una pista. La unidad tiene una potencia de 400 TBW (bytes totales escritos), que es una cifra de resistencia relativamente modesta para una SSD de 1 TB. Esto puede indicar el uso de la memoria flash QLC NAND, que almacena 4 bits por celda de memoria. La tecnología QLC reduce los costos de fabricación y aumenta la densidad de almacenamiento, aunque normalmente ofrece Menos durabilidad y rendimiento de escritura. Más duradera que la memoria NAND de celda de triple nivel (TLC). La tecnología sigue siendo significativamente menos duradera que las tecnologías más antiguas de celdas multinivel (MLC) y de celdas de un solo nivel (SLC).

Omitir la DRAM integrada es otra importante medida de ahorro de costes. Las unidades SSD tradicionales contienen DRAM dedicada para almacenar la capa de traducción flash (FTL), que permite al controlador localizar rápidamente datos en la memoria flash NAND. Sin DRAM, la unidad puede experimentar Aumenta la latencia y reduce el rendimiento. Durante cargas de trabajo sostenidas o multitarea intensiva.

La decisión de Samsung se produce mientras los precios de las memorias flash NAND y DRAM continúan aumentando en toda la industria del almacenamiento. Por supuesto, eliminar el empaque de DRAM puede reducir los costos de los componentes, reducir la complejidad de las PCB y ayudar a los fabricantes a mantener precios competitivos en el espacio SSD convencional.

No nos malinterpretes. Los niveles de entrada y de gama media todavía utilizan principalmente SSD Gen4 y su rendimiento es suficiente para la mayoría de las tareas. Pero no nos gusta la solución MEMOpocalypse adoptada por la industria. y la introducción de dispositivos “nuevos” que utilizan tecnologías más antiguas. Gen5 lleva mucho tiempo en el mercado y PCIe 6.0 ya debería estar disponible. Bajar el precio de los SSD es posible y necesario siempre y cuando el desarrollo sostenible de la inteligencia artificial pueda evitar alimentar burbujas que podrían destruir el mercado tecnológico.